نام فایل : پیل-خورشیدی-36-ص

فرمت : .doc

تعداد صفحه/اسلاید : 32

حجم : 24 مگابایت

پیلهای خورشیدی زمینی كه معمولاً از سیلسیوم تك بلوری تهیه می شوند. پیلهای معمولی از نوع
n
روی
p
از قرصهای گردسیلیسیومی به ضخامت ۳/۰ میلیمتر تهیه می شوند. طرف پایین یا پشت پیلی كه نور بر آن نمی تابد دارای پوششی فلزی است كه با بدنه نوع
p
سیلسیوم تماس برقرار می كند. یك لایه بالایی از نوع
n
كه تشكیل دهنده پیوند
pn
است برای این كه مقاومت اندكی داشته باشد به میزان زیادی ناخالص شده است. انگشتی هایی فلزی به عرض حدود ۱/۰ میلیمتر و بضخامت ۰۵/۰ میلی متر با این لایه جلویی تماس اُهمی ایجاد می كنند تا جریان را جمع آوری كنند. یك پوشش شفاف عایق ضد بازتاب بضخامت تقریبی ۰۶/۰ میكرون(
p-m
) لایه سیلسیومی فوقانی را می پوشاند و به این ترتیب انتقال نور بهتری نسبت به هنگامی كه سیلسیوم بدون پوشش است پدید می آورد.
چنانچه كسی این ساختار را با ساختار یك مدار مجتمع (
ic
) مقایسه كند. از سادگی نسبی پیل خورشیدی شگفت زده می شود. در ترانزیستورهای مدار مجتمع به هزاران پیوند
pn
وجود دارد. عمده ترین عناصر یك مدار مجتمع عرضی تنها حدود چند میكرون دارد و عملكرد آن در مقایسه با پیلهای خورشیدی بسیار پیچیده و متنوع است. روشهای ساخت سیلسیوم كاملاً شناخته شده اند و مراحل تهیه یك مدار مجتمع را می توان به راحتی درباره پیل خورشیدی به كار برد. خواننده عزیز ممكن است تعجب كند كه چرا یك فصل كامل از كتاب به مواد تشكیل دهنده پیلهای خورشیدی و پردازش آنها اختصاص یافته است.
● خواص ماده و روشهای پردازش پیلها
واقعیت امر این است كه پیلهای سیلیسیومی با استفاده از طرح معمولی پیل و روشهای مرسوم آماده سازی مدار مجتمع (
ic
) برای مصارف زمینی ساخته شده اند. البته این پیلها نسبتاً و به همین دلیل برای مصارف خاص مانند تأمین برق دستگاههای ارتباطی واقع در مناطق دور دست كه هزینه تولید الكتریسیته به وسیله منابع گران تمام می شود. مناسبند. دو عامل مهم و اساسی بر انتخاب مواد تشكیل دهنده پیل و روشهای آماده سازی تأثیر دارد:
...